张飞软硬开源基于STM32 BLDC直流无刷电机驱动器开发视频套件,??戳此立抢??

极速一分赛车开奖结果:差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

EDA365 ? 2018-07-05 09:06 ? 次阅读

极速快3是什么彩票 www.ln0d0.cn 差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

一、差分平衡参数测试的应用背景

随着信息产业的高速发展,对网络带宽的需求越来越高,就需要信息设备(如大型服务器、超级计算机和交换机等)能够承载的数据速率越来越快。目前,信息设备中均采用差分平衡方式进行高速数据的传输,信息设备生产商对这类高速互连通道的信号完整性问题也愈发重视,差分平衡参数是其中一个重要测试项。

二、差分平衡参数测试原理

1、平衡器件的定义

传统的射频微波器件是单端的,即单输入单输出,且输入输出接口上的信号有共同的参考地平面,如图1所示。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图1 单端器件

但随着先进的MMIC集成电路的出现,越来越多的射频电路开始使用差分平衡形式来设计。计算机、服务器中背板的差分平衡时钟速率已到达上百吉比特每秒,速率如此之高也必须按照射频和微波器件来考虑。

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图2 平衡器件

平衡器件的输入或输出都是两端口的。平衡器件所传输的信号是两个端口之间电平的差值或平均值,输入的两端口或输出的两个端口之间互为参考,而不是以地为参考,如图2所示。

理想情况下,当差分平衡器件的输入端加上幅度相等、相位相差180度的差模信号时,输出端得到的也是差模信号,这种工作模式称为“差模/差模”模式。理想差分传输线不会传输幅度相等相位相同的信号,即共模信号,对共模干扰有很好的抑制作用。实际上差分传输线输入和输出的信号都不可能是理想的,输入和输出信号中都有以地为参考的共模信号存在。由差模信号激励得到共模信号的工作模式称为“差模/共模”模式。如果输入信号中含有共模信号,同样也会激励得到差模和共模信号,对应的工作模式分别为“共模/差模”和“共模/共模”模式。其中“共模/差模”模式会在输出的差模信号中引入噪声,于是差分传输线抑制由共模信号激励产生差模信号的能力将是判断一个该器件性能优劣的重要指标。传统的S参数并不能区分差模信号和共模信号,更不能反映差分传输线各模式的传输和不同模式的转化特性,因此无法准确衡量一个差分平衡器件的性能。为完整表征一个差分平衡器件的特性,需要知道它在差模和共模激励下的响应,以及在这两种激励下的模式转换信息,以4端口的平衡参数为例,混合模S参数矩阵可以完整表征其特性指标。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

其中,混合模S参数用Sabxy的形式表示,前面两个下标分别表示响应和激励信号的模式,d代表差模信号,c代表共模信号,后两位数字下标分别表示响应和激励的端口。矩阵的左上象限表示传输线在差模激励下的差模响应,右下象限表示传输线在共模激励下的共模响应;矩阵的左下象限表示传输线在差模激励下的共模响应,右上象限表示传输线在共模激励下的差模响应,这两个象限描述了差分传输线的模式转换信息。

2、3672差分平衡参数设置

任何差分平衡参数测试,首先需要创建相应的混合模S参数的轨迹。

1) 设置轨迹运算的方法

菜单路径:[轨迹]→[新建轨迹]→[平衡参数],显示新建轨迹对话框。

2) 平衡器件拓扑设置方法

路径: [新建轨迹]对话框→[改变]按钮,显示被测件配置对话框;逻辑端口是用来描述矢量网络分析仪物理测试端口新的平衡测试中的映射关系,具体如下。

1)任意两个物理测试端口可以被映射成一个平衡逻辑端口;

2)任意一个物理测试端口可以被映射成一个单端逻辑端口 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图3 平衡参数拓扑设置对话框

四端口矢量网络分析仪支持四种平衡器件拓扑形式,可在图所示对话框进行设置,具体如下:

1)平衡/平衡(2个平衡逻辑端口和四个物理端口) 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

2)单端/平衡(2个逻辑端口和三个物理端口) 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

3)平衡/单端(2个逻辑端口和三个物理端口) 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

4)单端-单端/平衡(3个逻辑端口和三个物理端口)

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

三 、差分平衡参数测量示例

1、TDR差分阻抗测试方法

传统上,TDR差分阻抗测试是一种通过使用时域反射计 (TDR) 示波器来评估传输线路的常见方法。而基于矢量网络分析仪 (VNA) 的 TDR 测量作为一种这种时域分析的替代方法,越来越受到人们的关注。两种方法的测试原理如下图所示。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

基于采样示波器的时域反射计(TDR)测试方法噪声相对较大,同时实现高动态范围和快速测量具有一定难度,虽然通过取平均法可以降低噪声,但是这会影响测量速度。示波器上用于测量时序偏差的多个信号源之间的抖动,也会导致测量误差。此外,给TDR示波器设计静电放电(ESD)?;さ缏贩浅@?,因此TDR示波器容易被ESD损坏。这些都可以通过基于VNA的TDR测试方案得以避免。

2、测试步骤

步骤1: 复位3672矢量网络分析仪,进入下图界面。

步骤2:设置所需要的起始和终止频率。

步骤3:点击右侧时域按钮,进入时域设置状态。

步骤4:点击时域变换按钮,弹出时域变换对话框后,在变换模式中选择低通阶跃,然后选中时域变换。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图4 时域变换设置

步骤5:接上一步,将时域变换勾除掉。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图5 去掉时域变换

步骤6:进行全四端口校准。

首先根据校准件和被测件选择校准方式和连接方式;接着进行校准件和被测件选择;随后按照向导步骤进行四端口校准,最后点击完成。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图6 全四端口校准

步骤7:点击新建轨迹,建立差分测试轨迹Sdd11。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图7 新建差分测试轨迹

步骤8:在平衡参数页,点击改变按钮进行平衡拓扑设置。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图8 平衡拓扑设置

步骤9:修改平衡拓扑设置,选择平衡到平衡。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图9 平衡拓扑设置对话框

步骤10:根据被测件连接情况设置平衡端口和网络仪端口的关系,如下两个图。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图10 端口映射设置

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图11 实际的物理连接关系

步骤11:选择轨迹Sdd11,点击确定。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图12 测试轨迹选择

步骤12:选择阻抗格式。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图13 选择阻抗格式

步骤13:【分析】→【时域】→【时域变换】→[低通阶跃],并勾选时域变换,同时根据被测件长度设置起始和终止时间。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图14 时域变换设置

步骤14:设置光标等观察阻抗曲线。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

图15 观察曲线的设置

附录 1

采用3672的时域功能+差分参数测试功能+Delta光标计算功能还能得到对内延时(Intra-pair skew)和对间延时(Inter-pair skew)。 

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

测试连接

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

对内延时(Intra-pair skew)

差分平衡参数测试的介绍和原理以及测试全过程图片详解

对间延时(Inter-pair skew)

原文标题:差分线及巴伦变压器用网分怎么测?AV3672告诉你

文章出处:【微信号:eda365wx,微信公众号:EDA365】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

HMC1056 GaAs MMIC I/Q混频器,8 - 12 GHz

信息优势和特点 宽IF带宽: DC - 4 GHz 镜像抑制: 25 dBc LO至RF隔离: 40 dB 高输入IP3: 18 dBm 20引脚4x4 mm SMT封装16 mm2 产品详情HMC1056LP4BE是一款紧凑型I/Q MMIC混频器,采用“无铅”SMT封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1056LP4BE无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点和点对多点无线电 军用雷达、EW和ELINT 卫星通信 传感器电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:09 ? 0次 阅读
HMC1056 GaAs MMIC I/Q混频器,8 - 12 GHz

HMC401 MMIC VCO SMT,8分频,13.2 - 13.5 GHz

信息优势和特点 Pout: -7 dBm 相位噪声: -105 dBc/Hz(100 KHz,典型值) 无需外部谐振器 单电源: 5V (290 mA) QSOP16G SMT封装产品详情HMC401QS16G(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC401QS16G(E)集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和8分频分频器。 由于振荡器的单芯片结构,VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用5V电源电压时,输出功率为-7 dBm(典型值)。 电压控制振荡器采用低成本、表面贴装16引脚QSOP封装,带有裸露基座以改善RF和散热性能。 应用 点对点无线电 点对(多)点无线电 / LMDS VSAT电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:09 ? 0次 阅读
HMC401 MMIC VCO SMT,8分频,13.2 - 13.5 GHz

HMC253A GaAs MMIC SP8T非反射式开关,采用SMT封装,DC至3.5 GHz

信息优势和特点 符合RoHS标准4x4 mm陶瓷SMT封装 非反射式拓扑 低插入损耗:1.6 dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL/CMOS解码器:0/+3V产品详情HMC253A是一款非反射SP8T开关,采用符合RoHS标准的无引脚4 mm x 4 mm SMT陶瓷封装和24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至3.5 GHz。 该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性,使其可采用0/3 V控制电源和5 V电源工作。 该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。 HMC253A SP8T可取代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。 应用 基站和中继器 WiMAX/WiBro和固定无线 蜂窝/3G基础设施 CATV/DBS 军事和高可靠性...
发表于 04-18 21:09 ? 0次 阅读
HMC253A GaAs MMIC SP8T非反射式开关,采用SMT封装,DC至3.5 GHz

HMC221B GaAs MMIC SOT26 SPDT反射开关SMT,DC - 3 GHz

信息优势和特点 低插入损耗:0.4 dB(典型值) 输出三阶交调截点(IP3):55 dBm(典型值) 正控制电压:0 V / 3 V 超小型封装:SOT-23产品详情HMC221B是一款单刀双掷(SPDT)开关,额定频率范围为10 kHz至3 GHz,采用6引脚SOT-23塑料封装。该开关提供低于0.8 dB的极低插入损耗(频率高达3 GHz时),非常适合要求低插入损耗和小尺寸的接收器和滤波器开关应用。关断状态下,RF1和RF2反射短路,而两个控制电压(A和B引脚)所需直流偏置电流极低。请注意,HMC197B在备选引脚排列方面具有相似的性能。应用 工业、科研和医疗(ISM) PCMCIA无线卡 蜂窝应用电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 21:08 ? 0次 阅读
HMC221B GaAs MMIC SOT26 SPDT反射开关SMT,DC - 3 GHz

SMA5101 MMIC,混频器,IIP3 = 15 dBm,Gc = -0.5 dB @ 450 MHz

信息对于RF双平衡混频器,SMA5101为MMIC,混频器,IIP3 = 15 dBm,Gc = -0.5 dB @ 450 MHz。 宽频带:高达Ku波段 高转换增益:-0.5 dB(@ 450 MHz) 低失真:IIP3 = 20 dBm(@ ICC> 11 mA) 低压可用:1.2 V及以上 SMT,超小型封装:2.0 x 2.1 x 0.85 mm
发表于 04-18 20:13 ? 0次 阅读
SMA5101 MMIC,混频器,IIP3 = 15 dBm,Gc = -0.5 dB @ 450 MHz

SMA3117 MMIC,Amplifiler,5 V,22.7 mA,0.1至3 GHz

信息 SMA3117是MMIC,Amplifiler,5 V,22.7 mA,0.1至3 GHz。 高增益:Gp = 33.5 dB typ @ 2.2 GHz < / li> 宽带响应:fu = 3.0 GHz 低电流:ICC = 22.7 mA典型值 高输出功率:Po(1 dB)= 5.7 dBm 端口阻抗:输入/输出50Ω
发表于 04-18 20:13 ? 0次 阅读
SMA3117 MMIC,Amplifiler,5 V,22.7 mA,0.1至3 GHz

SMA3103 MMIC,放大器,5 V,19 mA,0.1至3.3 GHz

信息 SMA3103是MMIC,放大器,5 V,19 mA,0.1至3.3 GHz。 高增益:Gp = 26.5 dB typ @ 1 GHz < / li> 宽带响应:fu = 3.3 GHz 低电流:I = 19 mA typ 高输出功率:Po(1 dB) )= 5 dBm 端口阻抗:输入/输出50Ω
发表于 04-18 20:13 ? 0次 阅读
SMA3103 MMIC,放大器,5 V,19 mA,0.1至3.3 GHz

SMA3107 MMIC,放大器,3 V,6 mA,0.1至2.8 GHz

信息 SMA3107为MMIC,放大器,3 V,6 mA,0.1至2.8 GHz。 高增益:G = 23.5 dB typ @ 1.0 GHz 宽带响应:fu = 2.8 GHz I = 6.0 mA typ
发表于 04-18 20:13 ? 0次 阅读
SMA3107 MMIC,放大器,3 V,6 mA,0.1至2.8 GHz

SMA3109 MMIC,放大器,3 V,16 mA,0.1至3.6 GHz

信息 SMA3109是MMIC,放大器,3 V,16 mA,0.1至3.6 GHz。 高增益:G = 23 dB typ @ 1.0 GHz 低电流:I = 16 mA typ 高输出功率:P (1 dB )= 4.0 dBm 端口阻抗:输入/输出50Ω
发表于 04-18 20:13 ? 0次 阅读
SMA3109 MMIC,放大器,3 V,16 mA,0.1至3.6 GHz

SMA3101 MMIC,放大器,5 V,10 mA,0.1至3 GHz

信息 SMA3101是MMIC,放大器,5 V,10 mA,0.1至3 GHz。 高增益:Gp = 25 dB typ @ 1 GHz < / li> 宽带响应:fu = 3.0 GHz 低电流:I = 10 mA typ 端口阻抗:输入/输出50Ω
发表于 04-18 20:13 ? 0次 阅读
SMA3101 MMIC,放大器,5 V,10 mA,0.1至3 GHz

HMC1132 1 W、GaAs pHEMT MMIC功率放大器,27 GHz至32 GHz

信息优势和特点 饱和输出功率(PSAT): 30.5 dBm(功率附加效率(PAE)为22%时) 高输出IP3: 35 dBm 高增益: 22 dB 直流电源: 6 V (600 mA) 无需外部匹配 32引脚、5 mm x 5 mm LFCSP_LQ封装 产品详情HMC1132是一款4级、GaAs pHEMT MMIC、1 W功率放大器,工作频率范围为27 GHz至32 GHz。 HMC1132提供22 dB增益和30.5 dBm饱和输出功率(22% PAE,6 V电源)。 HMC1132提供卓越的线性度并针对高容量、点到点和点到多点无线电系统进行优化。 放大器配置和高增益使其成为天线之前最后一级信号放大的绝佳选择。 HMC1132放大器输入/输出(I/O)内部匹配50 ?。该器件采用紧凑型、无引脚、5 mm × 5 mm表贴封装。应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT和SATCOM 军事与太空...
发表于 04-18 18:58 ? 18次 阅读
HMC1132 1 W、GaAs pHEMT MMIC功率放大器,27 GHz至32 GHz

ESG D4000A问题

嗨,我正在尝试修复ESG信号发生器。 错误很可能是在4400 60002上,其中有一些MMIC标记为641.是否有人有CLIP或知道这...
发表于 03-26 14:20 ? 22次 阅读
ESG D4000A问题

77GHz汽车毫米波雷达用量趋增 CMOS工艺MMIC前景可期

从ADAS到自动驾驶的演进促进了毫米波雷达的需求。就单车装载量看,目前,L2阶段配置基本是1个长距+....
的头像 坚白 发表于 03-18 00:02 ? 3138次 阅读
77GHz汽车毫米波雷达用量趋增 CMOS工艺MMIC前景可期

HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

和特点 低噪声指数:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 输出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高输出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 产品详情 HMC1040CHIPS 是一款砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器,工作范围为 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪声指数和 25.5 dBm 的典型输出三阶交调点 (IP3),只需要 65 mA 电流,2.5 V 电源电压。15.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 众多平衡式同样正交 (I/Q) 或镜频抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。HMC1040CHIPS 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使其适用于基于表面安装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。应用 软件定义无线电 电子战 雷达应用 卫星通信 电子战 仪器仪表 电信 方框图...
发表于 02-22 12:14 ? 0次 阅读
HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

和特点 噪声系数: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片???MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 ? 33次 阅读
HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

HMC902-DIE 5 GHz至11 GHz GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

和特点 噪声系数:小信号增益:1.6 dB(典型值)20 dB(典型值) P1dB输出功率:16 dBm(典型值) 电源电压:3.5 V(80 mA,典型值) 输出IP3:28 dBm(典型值) 50 Ω匹配输入/输出 通过可选偏置控制实现自偏置,在不施加射频(RF)的情况下降低静态漏极电流(IDQ) 裸片尺寸:1.33 mm × 1.04 mm × 0.102 mm 产品详情 HMC902-裸片是一款砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器(LNA),通过可选偏置控制实现自偏置,以降低IDQ。HMC902-裸片的工作频率范围为5 GHz至11 GHz。该LNA提供20 dB的小信号增益、1.6 dB的噪声系数、28 dBm的输出IP3,采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902-裸片还具有匹配至50 Ω的输入/输出以便轻松集成到多芯片???MCM)。所有数据均利用50 Ω测试夹具中的HMC902-裸片获取,通过长度为0.31 mm (12 mil)、直径0.025 mm (1 mil)的两条线焊连接。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事与航天 测试仪器仪表 工业科研和医疗(ISM)无线电频段 免执照国家信息基础设...
发表于 02-22 12:13 ? 33次 阅读
HMC902-DIE 5 GHz至11 GHz GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

HMC190B GaAs MMIC SPDT开关SMT,DC - 3 GHz

和特点 低插入损耗: 0.4dB 小型封装: MSOP8 高输入IP3: +50 dBm 正控制电压: 0/+3V (0.1 uA) 产品详情 HMC190BMS8(E)是一款低成本SPDT开关,采用8引脚MSOP封装。 该开关可控制DC至3 GHz范围的信号。 它尤其适合采用正控制电压的中低功耗应用。 这两个控制电压所需的直流电流非常小,极其适合0.9、1.9和2.4 GHz频率范围的电池供电无线电系统。 HMC190BMS8(E)提供出色的、+56 dBm第三阶交调性能。 该设计针对小型MSOP封装进行了优化,保持优于1.2:1至2 GHz的VSWR性能。 该器件为HMC239AS8(E)负控制器件的正控制MSOP8封装版本。应用 MMDS和无线局域网 便携式无线系统方框图...
发表于 02-22 12:10 ? 50次 阅读
HMC190B GaAs MMIC SPDT开关SMT,DC - 3 GHz

HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

和特点 低插入损耗(2 GHz):1.1dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解码器 24引脚QSOP封装 产品详情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均为低成本非反射SP8T开关,采用24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至2.5 GHz。该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T将替代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用 CATV/DBS CDMA 蜂窝/PCS 方框图...
发表于 02-22 12:10 ? 48次 阅读
HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

HMC245A GaAs MMIC SP3T非反射式开关,DC - 3.5 GHz

和特点 低插入损耗: 0.7 dB (2.0 GHz) 非反射式设计 集成式2:3 TTL解码器 “全部关断”隔离状态 单正电源: Vdd = +5V 16引脚QSOP SMT封装产品详情 HMC245AQS16和HMC245AQS16E均为低成本反射式SP3T开关,采用16引脚QSOP表贴封装。 该开关频率范围为DC至3.5 GHz,提供30至40 dB隔离和0.7 dB的低插入损耗。 该开关上集成了2:3 TTL/CMOS兼容解码器,仅需两条控制线和单个+5V偏置即可选择每个路径,从而可取代GaAs SP3T开关通常所需的6条控制线。 应用 基站基础设施? CATV / DBS? 无线本地环路? 测试设备方框图...
发表于 02-22 12:10 ? 34次 阅读
HMC245A GaAs MMIC SP3T非反射式开关,DC - 3.5 GHz

HMC1084 GaAs MMIC SP4T反射开关,23 - 30 GHz

和特点 宽带性能: 23 - 30 GHz 高隔离度: 26 dB 插入损耗: 2.8 dB 高功耗处理: >27 dBm 24引脚4x4mm SMT封装: 16mm 产品详情 HMC1084是一款宽带反射GaAs MESFET SP4T开关,采用紧凑型4x4 mm陶瓷封装。 该开关频率范围为23 - 30 GHz,具有高隔离度和低插入损耗。 HMC1084由0/-3V逻辑控制,具有快速开关速度,且直流功耗比基于pin二极管的解决方案小。 HMC1084采用紧凑型外形尺寸,非常适合微波无线电、SATCOM以及传感器应用。 HMC1084采用无铅4x4 mm SMT封装,兼容表面贴装制造技术。 应用 电信基础设施 微波无线电和VSAT 军事和太空混合器件 测试仪器仪表 SATCOM和传感器 方框图...
发表于 02-22 12:10 ? 28次 阅读
HMC1084 GaAs MMIC SP4T反射开关,23 - 30 GHz

HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.5° 低插入损耗: 4 dB 高线性度: +50 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36mm2产品详情 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形???相位抵消 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 26次 阅读
HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

和特点 RF输出频率范围:17 GHz至24 GHz IF输入频率范围:2 GHz至4 GHz LO输入频率范围:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 边带抑制:32 dB(下边带) P1dB:25 dBm 增益调节:30 dB 输出IP3:33 dBm 匹配50 ? RF输出、LO输入和IF输入 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装 产品详情 ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1011提供21 dB的转换增益,具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器,前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器?;固峁㊣F1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造装配。ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为?40°C至+85°...
发表于 02-22 12:06 ? 30次 阅读
ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

SPF5189Z高性能PHEMT MMIC低噪声放大器的详细数据手册免费下载

SPF5189Z是一种高性能PHEMT MMIC 低噪声放大器(LNA),设计用于从50MHz到40....
发表于 08-20 11:27 ? 245次 阅读
SPF5189Z高性能PHEMT MMIC低噪声放大器的详细数据手册免费下载

SGL0622Z低噪声,高增益的MMIC低噪声放大器的详细数据手册免费下载

SGL0622Z是一种低噪声、高增益的MMIC低噪声放大器,用于从2.7 V到+5 V的低功耗单电源....
发表于 08-20 11:27 ? 27次 阅读
SGL0622Z低噪声,高增益的MMIC低噪声放大器的详细数据手册免费下载

SPF5344Z高性能的2级PHEMT MMIC低噪声放大器的详细数据手册免费下载

SPF5344Z是一种高性能的2级PHEMT MMIC 低噪声放大器(LNA),设计用于0.8GHz....
发表于 08-20 11:27 ? 24次 阅读
SPF5344Z高性能的2级PHEMT MMIC低噪声放大器的详细数据手册免费下载

SDA-5000 GaAs MMIC分布式驱动放大器的详细数据手册免费下载

RFDD的SDA-5000是一种直接耦合(DC)GaAs微波单片集成电路(MMIC)分布式驱动器放大....
发表于 08-17 11:27 ? 26次 阅读
SDA-5000 GaAs MMIC分布式驱动放大器的详细数据手册免费下载

QPA1003D氮化镓功率放大器的详细数据手册免费下载

QoVo的QPA1003D是一种宽带高功率MMIC放大器,由QoVo公司生产的0.15M GaN碳化....
发表于 08-17 11:27 ? 56次 阅读
QPA1003D氮化镓功率放大器的详细数据手册免费下载

TGA1171-SCC功率放大器的详细数据手册免费下载

TrimQuT TGA1171-SCC是使用TrimQuin的0.25μm功率PHEMT过程的两阶段....
发表于 08-16 11:27 ? 28次 阅读
TGA1171-SCC功率放大器的详细数据手册免费下载

TGA2963-CP宽带高功率MMIC放大器的详细数据手册免费下载

QOVO的TGA29 63-CP是一种宽带高功率MMIC放大器,是在QoVo公司生产的0.15M G....
发表于 08-15 11:28 ? 29次 阅读
TGA2963-CP宽带高功率MMIC放大器的详细数据手册免费下载

TGA2830-SM 封装MMIC功率放大器的详细数据手册免费下载

TrimQUT的TGA2830-SM是一个封装MMIC功率放大器,工作在2.7至3.5千兆赫。TGA....
发表于 08-15 11:28 ? 28次 阅读
TGA2830-SM 封装MMIC功率放大器的详细数据手册免费下载

TGA2204 GHz高功率放大器MMIC的详细数据手册免费下载

 TrimQUT TGA2204是一种高功率放大器MMIC,适用于9—105GHz的应用。利用Tri....
发表于 08-15 11:27 ? 75次 阅读
TGA2204 GHz高功率放大器MMIC的详细数据手册免费下载

TGA2201 GHz高功率放大器的详细数据手册免费下载

TrimQUT TGA2201是一种高功率放大器MMIC,用于7至8.5 GHz的应用。该零件采用T....
发表于 08-15 11:27 ? 126次 阅读
TGA2201 GHz高功率放大器的详细数据手册免费下载

TGA2239 Ku波段高功率MMIC放大器的详细数据手册免费下载

Qorvo的TGA2249是一个Ku波段,高功率MMIC放大器上制造的QoVo的生产0.15μm氮化....
发表于 08-15 11:27 ? 15次 阅读
TGA2239 Ku波段高功率MMIC放大器的详细数据手册免费下载

TGA2513宽带低噪声放大器的详细数据手册免费下载

TrimQUT TGA2513是一个紧凑的LNA /增益块MMIC。LNA工作在2-23 GHz,并....
发表于 08-15 11:27 ? 21次 阅读
TGA2513宽带低噪声放大器的详细数据手册免费下载

TGA2585 GaN功率放大器详细数据手册免费下载

rimQuT的TGA2585是在TrimQuin公司生产的0.25M GaN SiC工艺(TQGAN....
发表于 08-14 11:28 ? 26次 阅读
TGA2585 GaN功率放大器详细数据手册免费下载

BLM6G22-30和BLM6G22-30G LDMOS2级功率MMIC数据手册免费下载

用于基站应用的30 W LDMOS 2级功率单片集成电路,其频率为2100 MHz至2200 MHz....
发表于 08-14 08:00 ? 152次 阅读
BLM6G22-30和BLM6G22-30G LDMOS2级功率MMIC数据手册免费下载

FMM5061VF X波段功率放大器MMIC的详细数据手册免费下载

FMM5061VF是一个MMIC放大器,包含一个三级放大器,内部匹配,在9.5至3.3GHz频率范围....
发表于 08-14 08:00 ? 157次 阅读
FMM5061VF X波段功率放大器MMIC的详细数据手册免费下载

TGA2622高功率MMIC放大器的详细数据手册免费下载

TriQuint公司的TGA2622是波段上TriQuint公司的生产0.25um GaN-on-S....
发表于 08-13 11:28 ? 76次 阅读
TGA2622高功率MMIC放大器的详细数据手册免费下载

ECG055B-G 通用缓冲放大器的详细数据手册免费下载

ECG055B-G是通用缓冲放大器,一个低成本的贴装封装提供高动态范围。在1000兆赫的ECG055....
发表于 08-13 11:28 ? 44次 阅读
ECG055B-G 通用缓冲放大器的详细数据手册免费下载

TQP369181直流6GHz增益缓冲放大器的详细数据手册资料免费下载

TQP369181是一种通用缓冲放大器,在低成本的表面贴装封装中提供高动态范围。在1900 MHz时....
发表于 08-13 11:28 ? 33次 阅读
TQP369181直流6GHz增益缓冲放大器的详细数据手册资料免费下载

WJA1510有源偏置HBT增益放大器的详细资料免费下载

WJA1510是级联增益???,在低成本的表面贴装封装提供高线性度。在200兆赫的WJA1510通常提....
发表于 08-10 11:28 ? 83次 阅读
WJA1510有源偏置HBT增益放大器的详细资料免费下载

WJA1505一级联增益??榉糯笃鞯南晗缸柿厦夥严略?/a>

WJA1505是一级联增益???,在低成本的表面贴装封装提供高线性度。在200兆赫的wja1505通常....
发表于 08-10 11:28 ? 74次 阅读
WJA1505一级联增益??榉糯笃鞯南晗缸柿厦夥严略? />    </a>
</div><div class=

请问EV-ADAR-D2S?? demo 板的放大器的电压是多少,参考材料中没有看到相关信息。

EV-ADAR-D2S   demo 板的放大器的VPOS1 / VNEG1 电压是多少?参考材料中没有看到相关信息。 这个demo...
发表于 08-08 08:48 ? 256次 阅读
请问EV-ADAR-D2S?? demo 板的放大器的电压是多少,参考材料中没有看到相关信息。

TGP2102 5位移相器的详细资料数据手册免费下载

TrimQUT TGP2102是使用TrimQuin的0.25μm功率PHEMT过程的5位数字移相器....
发表于 08-02 11:29 ? 116次 阅读
TGP2102 5位移相器的详细资料数据手册免费下载

红外显微镜用于测量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的有什么局限性?

本文讨论了红外显微镜用于测量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的局限性。它还将描述Qorvo的....
发表于 08-02 11:29 ? 153次 阅读
红外显微镜用于测量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的有什么局限性?

TGA4036中功率放大器的详细数据手册免费下载

TrimQUT TGA4036是一种适用于宽带应用的紧凑型中等功率放大器MMIC。该零件采用Trim....
发表于 08-02 11:29 ? 61次 阅读
TGA4036中功率放大器的详细数据手册免费下载

TGA4522宽带驱动放大器的详细资料和数据免费下载

 TrimQUT TGA4522是Ka频段和Q波段应用的紧凑型驱动放大器MMIC。利用TrimQuT....
发表于 08-02 11:29 ? 137次 阅读
TGA4522宽带驱动放大器的详细资料和数据免费下载

GaN功率放大器MMIC的设计和测量性能详细资料免费下载

本文介绍了用0.15M氮化镓(GaN)工艺制备的1-8GHz功率放大器MMIC的设计和测量性能。该工....
发表于 08-01 11:29 ? 54次 阅读
GaN功率放大器MMIC的设计和测量性能详细资料免费下载

应用于高性能系统的GaN热分析详细资料概述

本文针对QoVo的热设计集成方法,利用了高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的建模、经验测量(包....
发表于 07-31 11:29 ? 82次 阅读
应用于高性能系统的GaN热分析详细资料概述

如何使用GaN MMIC和同轴波导空间功率合成的功率放大器详细资料概述

越来越高的功率商用微波单片集成电路(MMIC)放大器的可用性使得固态放大器的构建能够实现仅由行波管放....
发表于 07-31 11:29 ? 105次 阅读
如何使用GaN MMIC和同轴波导空间功率合成的功率放大器详细资料概述

QPF4005 GaN双通道多功能前端??橄晗缸柿厦夥严略?/a>

QPF4005是一个双通道多功能氮化镓MMIC前端???,目标为9GHz相控阵5G基站和终端。对于每个....
发表于 07-31 11:29 ? 91次 阅读
QPF4005 GaN双通道多功能前端??橄晗缸柿厦夥严略? />    </a>
</div><div class=

QPF4006 GaN MMIC前端??橄晗缸柿厦夥严略?/a>

QPF4006是一个多功能氮化镓MMIC前端???,目标为39 GHz相控阵5G基站和终端。该装置结合....
发表于 07-31 11:29 ? 165次 阅读
QPF4006 GaN MMIC前端??橄晗缸柿厦夥严略? />    </a>
</div><div class=

TGL2206是一种高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限制器的详细数据手册概述

TrimQuT TGL2206是一种高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限制器,能够?;っ舾械慕邮招诺?...
发表于 07-30 11:30 ? 94次 阅读
TGL2206是一种高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限制器的详细数据手册概述

TGL2203宽带MMIC砷化镓VPIN限制器的详细资料免费下载

TrimQuT TGL2203是宽带MMIC砷化镓VPIN限制器,能够?;っ舾薪邮招诺雷榧馐芨吖β?...
发表于 07-30 11:30 ? 136次 阅读
TGL2203宽带MMIC砷化镓VPIN限制器的详细资料免费下载

TGL2207高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限幅器的详细资料免费下载

TrimQuT TGL2207是一种高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限幅器,能够?;っ舾械慕邮胀ǖ?...
发表于 07-30 11:30 ? 116次 阅读
TGL2207高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限幅器的详细资料免费下载

TGA2710高功率放大器的详细资料免费下载

TrimQUT TGA2210是一种高功率放大器MMIC,适用于10.5~12GHz的应用。利用Tr....
发表于 07-27 11:30 ? 94次 阅读
TGA2710高功率放大器的详细资料免费下载

TGL2205高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限幅器的数据手册详细概述

TrimQuT TGL2205是一种高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限幅器,能够?;っ舾械慕邮招诺?...
发表于 07-27 11:30 ? 105次 阅读
TGL2205高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限幅器的数据手册详细概述

TGA4036紧凑型中功率放大器的详细资料免费下载

TrimQUT TGA4036是一种适用于宽带应用的紧凑型中等功率放大器MMIC。该零件采用Trim....
发表于 07-27 11:30 ? 97次 阅读
TGA4036紧凑型中功率放大器的详细资料免费下载

CGR-0218Z高性能InGaP HBT MMIC放大器的详细资料免费下载

RFMD的CGR -0218Z是一种高性能InGaP HBT MMIC放大器,采用InGaP工艺技术....
发表于 07-27 11:30 ? 122次 阅读
CGR-0218Z高性能InGaP HBT MMIC放大器的详细资料免费下载

SGB-2233高性能的SiGe HBT MMIC放大器详细资料免费下载

RFMD的SGB-2233是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用达林顿配置与有源偏置网....
发表于 07-27 11:30 ? 115次 阅读
SGB-2233高性能的SiGe HBT MMIC放大器详细资料免费下载

SBB3089Z高性能InGaP HBT MMIC放大器

RFMD的SBB3089Z是一种高性能InGaP HBT MMIC放大器,利用达林顿配置与有源偏置网....
发表于 07-26 11:30 ? 210次 阅读
SBB3089Z高性能InGaP HBT MMIC放大器

SGA5263Z高性能MMIC放大器的详细资料免费下载

SGA5263Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高....
发表于 07-26 11:30 ? 126次 阅读
SGA5263Z高性能MMIC放大器的详细资料免费下载

SGC2463Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器的详细数据手册免费下载

RFDD的SGC2463Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器,利用达林顿配置与专利有源偏....
发表于 07-26 11:30 ? 120次 阅读
SGC2463Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器的详细数据手册免费下载

SGA789Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器的详细数据手册免费下载

SGA789Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高的....
发表于 07-26 11:30 ? 126次 阅读
SGA789Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器的详细数据手册免费下载

SGA6589Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器详细资料免费下载

SGA6589Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了高....
发表于 07-26 11:30 ? 138次 阅读
SGA6589Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器详细资料免费下载

SBW-5089Z单片集成放大器的详细中文资料免费下载

SBW-5089Z是一种高性能的InGaP/GaAs HBT MMIC放大器。用InGaP工艺制造的....
发表于 07-26 11:30 ? 165次 阅读
SBW-5089Z单片集成放大器的详细中文资料免费下载

SGA3563Z高性能MMIC放大器的详细资料免费下载

 SGA3563Z是一种高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米发射器的达林顿配置提供了....
发表于 07-26 11:30 ? 186次 阅读
SGA3563Z高性能MMIC放大器的详细资料免费下载

CXE-1089Z低噪声放大器的详细资料免费下载

RMMD的CXE-1089Z是一种高性能的75ΩPHEMT MMIC低噪声放大器,利用具有有源偏置的....
发表于 07-26 11:30 ? 140次 阅读
CXE-1089Z低噪声放大器的详细资料免费下载

TGA1073A-SCC中功率放大器的详细数据手册免费下载

TrimQuT TGA1073A SCC是使用TrimQuin的0.25μm毫米波PHEMT 2MI....
发表于 07-26 11:30 ? 199次 阅读
TGA1073A-SCC中功率放大器的详细数据手册免费下载

GaAs分布式放大器的详细资料概述免费下载

RFDD的SDA-1000是一个直接耦合(DC)GaAs微波单片集成电路(MMIC)分布式驱动放大器....
发表于 07-25 11:30 ? 168次 阅读
GaAs分布式放大器的详细资料概述免费下载

可级联宽带GaAs MMIC放大器NBB-300的详细介绍和应用资料概述

NBB-300可级联宽带InGaP/GaAs MMIC放大器是一种低成本、高性能的通用RF和微波放大....
发表于 07-25 11:30 ? 182次 阅读
可级联宽带GaAs MMIC放大器NBB-300的详细介绍和应用资料概述

高性能的InGaP HBT MMIC放大器CGA-1518Z的详细资料概述

RFMD的CGA-1518Z是一种高性能的InGaP HBT MMIC放大器。采用InGaP工艺技术....
发表于 07-25 11:30 ? 172次 阅读
高性能的InGaP HBT MMIC放大器CGA-1518Z的详细资料概述

MMIC技术——实现降低5G测试测量成本与复杂性的双重突破

对于负责为5G无线系统量身打造下一代测试设备的测试和测量(T&M)供应商而言,方法十分重要。与早期的3G和4G LTE部署相比...
发表于 07-04 10:20 ? 636次 阅读
MMIC技术——实现降低5G测试测量成本与复杂性的双重突破
740| 792| 582| 547| 727| 682| 542| 514| 632| 306|